GB25XF120K datasheet
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>> GB25XF120K IGBT 模块 40 Amp 1200 Volt Non-Punch Through datasheet RF/IF 和 RFID
型号:
GB25XF120K
库存数量:
可订货
制造商:
Vishay Semiconductors
描述:
IGBT 模块 40 Amp 1200 Volt Non-Punch Through
RoHS:
否
详细参数
参数
数值
产品分类
RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块
描述
IGBT 模块 40 Amp 1200 Volt Non-Punch Through
GB25XF120K PDF下载
制造商
Vishay Semiconductors
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
在25 C的连续集电极电流
40 A
栅极—射极漏泄电流
功率耗散
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
Econo 2
封装
Bulk
相关资料
属性
链接
代理商
GB25XF120K
GB2B0306TPI-1
GB30FF60K
GB30RF60K
GB30XF60K
GB35XF120K
供应商
公司名
电话
北京首天伟业科技有限公司
010-62565447
刘先生
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104931
刘先生
北京元坤伟业科技有限公司
010-62104791
刘先生
深圳市中平科技有限公司
0755-83946385
赖先生
深圳市毅创辉电子科技有限公司
19129491934(手机优先微信同号)
何芝
深圳市悦兴晨电子科技有限公司
0755-8281200482811605
朱先生
深圳市讯顺达科技有限公司
0755-82727234
卓小姐/蔡小姐/庄小姐
深圳市华思半导体技术有限公司
0755-83299983
陈先生
深圳市新良宇电子有限公司
0755-83237632
李先生
北京京华特科技有限公司
010-86398446-806
张小姐/韩先生
GB25XF120K 参考价格
价格分段
单价(美元)
总价
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